“很厉害，短短一天时间不到就掌握了。”

包仲文看著李观说道，心中泛起异样的情绪，这么好的苗子搞数学可惜了。

“老沈跟我说了是你强烈要求过来进我的课题组的，我能问问是什么原因吗？”

包仲文见李观有些犹豫，接著说道：“你跟老沈那个搞理论的说不清楚，你跟我说，我全力给你提供帮助。”

听到这，李观心中终於做好了决定。

不要看李观轻轻鬆鬆就进了包仲文的课题组，其实他的课题组的保密级別是相当高的，虽然技术暂时还落后於世界。

並且就算mos?电晶体研发出来，也还需要专业的人士不断地推进，不断地叠代技术使之能一直保持世界领先地位，这样才能完成真正的崛起。

全靠自己一人，怕真是智商欠费了。

“我想试著做一种新的电晶体，之前是在外国期刊上看到的，直觉告诉我它很有潜力，当然在製备工艺上我做了一些优化。”

李观半真半假地说道，他確实是查了，也確实有人发现这种物质具有一定的迁移率，但根本无法完成晶圆级单晶，只有微米级的小片，这就是数百倍的差距。

而李观从材料中获得的办法是让他自己长出来，在二维液面上限域生长。这简直就是从意识到水蒸气很热，到真正迈入蒸汽时代的巨大飞跃。

“什么材料的？”包仲文疑惑地问道，最近最火的就是石墨烯了，但它的特性决定了它不能成为晶片的材料，这孩子不会是想研究石墨烯吧？

“mos?场效应电晶体。”

“二硫化鉬？没听说过这种材料能当晶片的啊？你准备怎么製备？我好像就看过一两篇论文提到过，但我没记错的话，他的迁移率极限也就在四五百吧？”

迁移率是半导体物理中的一个核心参数，用来衡量电荷载流子的迁移能力。简单来说迁移率越高，电子在材料中就跑得越快越顺畅，反之亦然。

所以一个材料能不能当做晶片，这个是重要指標之一。当前使用的硅基材料迁移率的理论上限是不超过1000–1500 cm2/(v·s)。

而二维mos?电晶体的迁移率上限只有400cm2/(v·s)，这也是当前没有太多人去深入研究这种材料的原因。

但在製程方面，二维mos?的最大优势就显现了出来，其单层厚度仅约 0.65纳米，而目前最常用的硅基电晶体中最小单位的物理厚度却在5纳米以上。

这还是后世在不断逼近摩尔定律的极限，持续推进电晶体微缩后的成果。

而2010年的现在，即使最先进的实验室里的硅电晶体沟道厚度也在10nm以上，这就是数十倍的差距。

当然最重要的是，二维mos?电晶体的製备不需要先进位程的光刻机的参与，仅仅90nm的光刻机就够了。

“我准备试试，只需要一些硫和鉬就可以。”

“我全力支持你，一会儿你找赵宇，让他带你去取材料。”包仲文大手一挥，表示自己的態度。

他这么积极的主要原因还是希望在试验后，李观能留下来跟著他搞半导体，不要再回数院那个玄虚的地方了。殊不知，李观只是一个还没考上大学的高中生，就连沈建国都不能確定对方会跟著他去数院。

“谢谢包教授。”

说干就干，李观出了洁净区，跑去吃了个饭。不过他並不怎么饿，而且还不累，依然是精力满满。