李观看了眼时间，再次穿戴妥当进了洁净区。

“他怎么又进去了？”

“谁知道？实验没做完？”

“有点太卷了吧。”

“听老向说他下午做的实验数据，比老包之前最高的那次还要好。”

“真的假的？”

“我也听说了，说是迁移率直接干到300了，还是老包亲自检测的数据。”

“这么嚇人？哪儿来的大神啊？清北的？科院没听说过这號啊？”

洁净室里的李观根本听不到外面大家的议论，听到也只会一笑而过，当下最重要的是观察二硫化鉬单晶薄膜是否製备成功。

“真成了！”

从显微镜中看到薄膜的时候李观有些开心，他在做之前並不能保证百分百的成功率，甚至只有一半一半的把握。

一半成，一半重来。

毕竟是完全不同的技术路线，尤其是只要单晶而不堆叠，这非常考验他的技术。

这下成了，他的心也放下了一半。

“接下来就该静电转印了。”

他启动静电印章，静电力瞬间捕获了这片单晶薄膜，他缓缓地將其转移至新的sio?衬底，全程没有任何的污染，毕竟纳米层级有一丝的沾染都只有失败的结局。

“接下来就是最为困难的一步了。”

如果说前面是五五开，那这个步骤就只有三七开了，李观做好了失败的准备。不行就凌晨出去跑三公里，强制重启新一天，连夜重开。

他將衬片转移进了ald腔內。

“通氮吹扫，温度升至150°c。”

李观有些紧张地默念著，按下了启动键。

腔內温度稳定后，三甲基铝脉衝注入，分子在薄膜表面吸附，与之反应形成了单层al–ch?，多余的被氮气吹走。

接著水蒸气脉衝注入，水解了残留物，在薄膜表面生成了al?o?。

这样循环一次仅能生长0.11nm，而需要3nm厚度就需要循环30次，要保证吸附均匀，一次不能出错。否则后续就会像被搭歪了的积木一般，前功尽弃。

“稳住。”

李观心中默念，设定了30次循环。

监控屏幕上，显示著材料质量在逐步增加。半个小时后，沉积完成。

“好像是成了？”

一直在一旁观察的李观极为紧张。比马上要五杀了，对方最后一人也就丝血了，但身旁却突然亮起了两道闪现的亮光来的还要紧张。

他有些紧张地看著显微镜下的画面，平整，均匀，无杂质。

“成了！真成了！”

“我必须立马开始光刻！”