林薇微微一愣，然后重重地点了点头。

签约完成后，张昊天做了一个简单的財务测算——中航工业的长期供应协议一旦执行，轻甲的月收入將从目前的3亿增加到4.5亿左右。

虽然和最初预估的国际市场百亿级规模相去甚远，但这4.5亿是稳定的、长期的、不受任何国际风波影响的收入。

加上手机代工的3200万、手机镜头的2.1亿、无线区域网模块的9000万——鸿远飞鸟的月收入將达到大约10.8亿。

这个数字足以支撑drie的研发、mems开发板的免费推广、以及鹏程新材碳纤维预浸料產线的改造。

钱不是问题。

时间才是。

………

同一天，下午五点，苏州工业园区。

苏辰站在陈国栋团队的实验室门口，看著眼前这间被改造得面目全非的车间。

三个月前他第一次来这里的时候，这里还只是一个简陋的实验平台——几台二手真空设备、一台改装过的等离子体源、还有满地的管线和线缆。

但现在，这里已经变成了一个像模像样的drie实验室。

车间中央矗立著那台200毫米drie原型腔体——不锈钢外壳在日光灯下泛著冷冽的金属光泽，腔体顶部连接著密密麻麻的管线，旁边是全新的射频电源和气路控制柜。

而最引人注目的，是腔体內部的四组导流槽。

这是沈志明根据第7组数据异常推导出的方案——通过在腔体內壁安装特定角度的导流槽，精確控制sf?和c?f?的气流场分布，从而在更大的腔体內实现与小腔体相同的刻蚀均匀性。

导流槽的安装角度是11.5度，这个数字来自沈志明连续四天的气流场仿真计算。

“苏总，设备已经就绪。“陈国栋走过来，手上沾著油污，但脸上带著压抑不住的兴奋，“rf电源昨天调试完成，腔体真空度达到了5x10?3 pa的设计指標。气路系统也做了三次泄漏检测，全部合格。“

“沈志明呢？“

“在控制室里做最后的参数確认。“陈国栋朝车间另一头的隔间点了点头。

苏辰走进控制室，看到沈志明正盯著电脑屏幕上密密麻麻的数据曲线。

这个三十出头的前中微半导体工程师，自从加入陈国栋的团队后就像换了一个人。在中微半导体的时候，他负责的是成熟工艺的维护和优化——日復一日地调参数、跑测试、写报告，技术上几乎没有任何突破的空间。

但在这里，一切都是从零开始的。

没有现成的工艺参数可以照搬，没有教科书可以翻阅，每一个数据都是他们自己一刀一刀刻出来的。

而那个“第7组数据异常“——功率窗口78%-82%时sf?刻蚀速率异常升高到5.1μm/min，侧壁角度反而改善到89.7°——正是沈志明在无数次失败的实验中捕捉到的灵光一闪。

“数据准备好了？“苏辰问道。

沈志明转过头来，眼睛里布满了血丝——显然又是一个通宵——但精神却极度亢奋。

“苏总，我把200毫米腔体的仿真跑了12轮。“他指著屏幕上的一组三维气流场分布图，“四组导流槽在11.5度安装角下，腔体中心与边缘的sf?浓度差异从无导流槽时的23%降低到了4.7%。理论上，这个均匀度已经可以满足批量刻蚀的要求。“

苏辰凑过去仔细看了看那组仿真结果。

12轮仿真，每一轮的参数都有微调——rf功率从75%到85%，腔压从15mtorr到25mtorr，sf?/c?f?流量比从2:1到4:1。

在所有参数组合中，最优的那一组正好落在功率窗口78%-82%、腔压18-20mtorr的区间。

和沈志明在小腔体上发现的“异常数据“完全吻合。

苏辰在虚擬空间中早已验证过这个结论——导流槽方案在200毫米腔体上是可行的，250毫米需要微调安装角度到12.2度，300毫米则需要增加第四组导流槽並將角度调整到13.8度。

但虚擬空间的验证和真实世界的实测之间，永远隔著一道鸿沟。

“准备开始吧。“苏辰说道。

陈国栋和沈志明对视一眼，然后同时点了点头。

晚上七点，200毫米drie腔体的第一次正式实测正式开始。

苏辰站在控制室的观察窗前，看著腔体內射频电源点亮的那一刻——一团淡蓝色的等离子体在腔体中央缓缓成型，如同深海中绽放的水母，美得令人窒息。

“rf功率稳定在80%，腔压19mtorr。“沈志明的声音从对讲机里传来，专注而平稳。

“sf?流量120sccm。气流场分布……正常！导流槽工作正常！“

苏辰的双手不自觉地攥紧了。

这一刻，他想起了三个月前在这间实验室里，陈国栋第一次成功点亮等离子体时的场景。

那一次的刻蚀速率只有2.8μm/min，侧壁角度只有85.2°。

而现在——

“第一轮刻蚀完成！“沈志明的声音突然拔高了一个八度，“苏总！sf?刻蚀速率——4.8μm/min！侧壁角度——89.5°！“

控制室里爆发出一阵欢呼声。

陈国栋激动得满脸通红，一把抓住沈志明的肩膀用力摇了两下：“成了！导流槽方案成了！“

但苏辰没有加入欢呼。

他的目光紧紧盯著屏幕上的另一组数据——腔体中心与边缘的刻蚀深度差异。

这才是导流槽方案最核心的验证指標。

如果中心和边缘的刻蚀深度差异超过8%，那即使速率和角度都达標，这台设备也无法用於批量生產。

数据在屏幕上一行一行地跳出来。

中心区域刻蚀深度：48.2μm。

边缘区域（北侧）：46.8μm。

边缘区域（南侧）：47.1μm。

边缘区域（东侧）：46.5μm。

边缘区域（西侧）：47.3μm。

苏辰在心里飞速计算——最大差异出现在东侧，48.2减46.5，差1.7μm，偏差率3.5%。

3.5%。

远低於8%的閾值。

“均匀性……3.5%。“苏辰的声音有些沙哑，但每个字都像是从胸腔里挤出来的。

控制室再次安静了一瞬。

然后，比第一次更加猛烈的欢呼声爆发了出来。

沈志明直接从椅子上跳了起来，双手高高举过头顶。陈国栋则是一屁股坐在了地上，仰头看著天花板，眼眶泛红。

在这个简陋的苏州工业园区实验室里，在这个2020年11月7日的夜晚——

中国第一台具备量產潜力的200毫米drie深硅刻蚀原型设备，完成了它的首次成功刻蚀。

苏辰站在那里，看著屏幕上那些跳动的数字，嘴角终於缓缓上扬。

但他知道，这只是第一步。

200毫米验证成功了，接下来是250毫米，然后是300毫米。

导流槽的角度需要调整，第四组导流槽需要设计和加工，气流场模型需要重新校准……

还有很长的路要走。

但方向，已经確认了。

他掏出手机，给林薇发了一条消息：

“200mm首测成功。均匀性3.5%，速率4.8μm/min，侧壁89.5°。导流槽方案验证通过。“

然后他又给周志远教授发了一条：

“周教授，开发板的晶片方案我已经確定了。等drie这边稳定后，我亲自来清华给您匯报。“

最后，他打开微博，看了一眼自己那条三句话的动態——转发量已经突破了二十万。

评论区最新的一条是：

“苏辰，你到底在忙什么？出来说两句啊！“

苏辰笑了笑，把手机收回口袋。

他在忙什么？

他在忙著种种子。

有些种子三个月后发芽——比如drie。

有些种子三年后开花——比如mems开发板进高校。

有些种子十年后才结果——比如一整代用著鸿远晶片长大的工程师。

但无论多久，只要种下去了，就一定会长出来。

这一点，苏辰从未怀疑过。